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SQ3427EEV
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
1500
10
I D = 5 A
1200
900
600
300
C i ss
C o ss
8
6
4
2
V D S = 30 V
0
C r ss
0
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
1.0
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
10
1
T J = 150 °C
0.7
0.4
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.1
- 0.2
- 0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
2.0
1.7
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 4.3 A
V GS = 10 V
- 60
- 64
I D = 1 mA
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 4.5 V
- 68
- 72
- 76
- 80
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
- 50
- 25
0
25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2124-Rev. B, 07-Nov-11
4
Document Number: 66826
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